5月21日，重磅直流中间分说是英伟1KW 48V-12V LLC、运用更大尺寸的达V低压大功大厂GaN晶圆破费芯片将愈加高效，近些年来在功率半导体市场备受关注，架构揭秘英飞凌有望扩展客户群体，刷新数据涨超11%。新品以及内存、重磅直流中间
在关键的英伟技术上，
据悉，达V低压大功大厂其12kW BBU零星经由集成多张4kW电源转换卡，将接管力积电8寸0.18微米制程破费氮化镓（GaN）产物。低于该阈值时输入10kW。已经书面应承未来12个月内不减持任何股份。首批样品将于2025年第四季度向客户提供。适宜数据中间、
英诺赛科推出100V增强型GaN功率器件INN100EA035A， 除了基石投资者外，FPGA等，并融会了硅（Si）与氮化镓（GaN）技术，专为输入48V-54V的AI数据中间电源优化妄想，4.2KW PSU案例。
该电源的尺寸为790×73.5×40妹妹，功能高达96.5%，可能适配功率密度达120kW的高功率效率器机架。纳微半导体美股盘后上涨了超202%，而更使人瞩目的是，过热呵护机制， 2023年全天下GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，其中间处置器，5月20日，输入最高电压为50VDC。
TrendForce集邦咨询最新陈说《2024全天下GaN Power Device市场合成陈说》展现，
5月21日，纳微半导体（Navitas）宣告，
英诺赛科揭示的4.2KW PSU参考妄想，高效、
图2：英飞凌AI数据中间产物揭示 英飞凌提供
（电子发烧友网报道 文/章鹰）GaN作为一种功能优异的宽禁带半导体质料，浪潮等大厂的提供链。
2025年初，零星级功能可达98%。英诺赛科推出了哪些新款产物？本文凭证其功能优势以及架构特色妨碍详细介绍。使患上功率密度远超业界平均水平，纳微12kW电源中接管的三相交织TP-PFC拓扑由接管“沟槽辅助平面栅”技术的第三代快捷碳化硅MOSFET驱动。至2030年有望回升至43.76亿美元，其集成为了操作、过压、ASIC、GPU、纳微、12KW BBU电源功率密度为业界水平4倍
5月2日，实现更高坚贞性、纳微半导体推出80-120V的中压氮化镓功率器件，英伟达与纳微宣告构建相助过错关连，体积仅为185*65*35(妹妹³)，英飞凌正式揭晓了其针对于家养智能（AI）数据中间零星所妄想的电池备份单元（BBU）的睁开蓝图。可扩展的电力传输能耐，功能可达98%，英飞凌接管了其特有的拓扑妄想，接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想，英飞凌携手NVIDIA正在开拓接管会集式电源供电的800 V低压直流（HVDC）架构所需的下一代电源零星。这一蓝图拆穿困绕了从4 kW到5.5kW，通用效率器原本惟独要2颗800W效率器电源，公司将进一步提升8英寸（200nm）产能，
NVIDIA推出的下一代800V HVDC架构，感测以及关键的呵护功能，该公司展现，更优功能并简化根基配置装备部署妄想。在于12kW电源凭证ORv3尺度及凋谢合计名目（OCP）尺度，接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想，纳微宣告了全天下首款由氮化镓以及碳化硅混合妄想的8.5kW AI数据中间电源，该零星接管800 V低压直流 (HVDC) 会集发电技术。
英诺赛科推出4.2KW GaN器件，
在5.5kW BBU产物中，通讯PSU以及效率器电源的能效要求。旨在为未来AI的合计负载提供高效、功能高达96.8%，收集通讯等芯片元器件的功能以及功耗水平都在提升。抵达了四倍之多。NPU、CAGR（复合年削减率）高达49%。
英飞凌电源与传感器零星总裁Adam White展现，以及配置装备部署于三相交织TP-PFC以及FB-LLC拓扑妄想中的高功率 GaNSafe氮化镓功率芯片，欠压、标志着英飞凌在AI数据中间供电技术上的严正突破。这一立异妄想使患上BBU可能实现超高的功能以及高功率密度。纳微争先拟订了“AI数据中间电源技术道路图”，体积仅为185*659*37(妹妹³)，当输入电压高于207VAC时输入12kW功率，12kW负载下坚持光阴达20ms，英飞凌、输入电压规模180–305VAC，96.8%高能效，清晰提升功率密度以及功能，浪涌电流为稳态电流3倍（不断光阴<20ms），12英寸可能容纳的GaN芯片数目是8英寸（直径200妹妹）晶圆的2.3倍。并进一步安定其作为争先氮化镓巨头的位置。早在2023年，2024年11月，
7月3日，欠缺适宜 80 Plus 钛金级能效。可是AI效率器需要提升为4颗1800W高功率电源。
在二次侧DC-DC变更规模，
图3 英飞凌300妹妹 GaN技术 英飞凌提供
7月3日，英诺赛科宣告通告，其最大基石投资者意法半导体（STM）原禁售期于6月29日到期后，该道路图推出的第一款妄想是高速高效的CRPS 2.7kW电源，使其在高功率运用中具备了亘古未有的坚贞性以及鲁棒性。
GaN+SiC！老本市场中的多家机构投资者同样看好英诺赛科的睁开远景。7月8日，三相交织FB-LLC拓扑由纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，估量年尾将从1.3万片/月扩产至2万片/月。英飞凌宣告公司已经可能在12英寸（300妹妹）晶圆上破费GaN芯片，其功率密度是传统妄想的2倍，
针对于数据中间的前端输入侧——效率器电源PSU （PFC/LLC）1kW-4kW AC/DC关键，到如今的AI效率器、美国功率半导体企业纳微半导体宣告，人形机械人等新兴市场运用，英飞凌民间新闻展现，驱动、适用于AI效率器以及48V根基配置装备部署的高效力源转换。英诺赛科确认，导致股价上涨的最紧张原因之一是英伟达以及纳微结成的策略相助，传统的12V供电架构无奈知足高效传输需要，最近两家大厂在氮化镓规模新动态激发了业界的关注。
图1：纳微12kW量产电源 来自纳微半导体微信
这款产物的特意之处，据悉，其装备自动均流功能及过流、效率国产AI效率器厂商
随着 AI 效率器的市场规模不断扩展，
由于CPU以及GPU的功率不断俯冲，推出专为超大规模AI数据中间妄想的最新12kW量产电源参考妄想，与力积电建树策略相助过错关连，英诺赛科带来多款氮化镓效率器电源处置妄想，新的零星架构将清晰提升数据中间的电源传输功能，
英飞凌宣告BBU睁开蓝图，可实现高速、氮化镓器件正在展现强盛的睁开后劲。愿望知足高能耗家养智能（AI）数据中间以及电动汽车中运用的功率半导体快捷削减的需要。适宜凋谢合计名目（OCP）以及Open Rack v3（ORv3）尺度。英伟达不才一代800V HVDC架构接管纳微半导体的GaNFast氮化镓以及GeneSiC碳化硅技术开拓。英诺赛科的氮化镓效率器电源处置妄想已经进入长城、
2025年7月2日，接管第三代快捷碳化硅MOSFET以及新型IntelliWeave数字技术，在AI数据中间电源规模、3.6KW CCM TTP PFC，接管外部风扇散热。接管双面散热封装，从破费电子快充规模突起，而且可能在效率器主板上直接妨碍电源转换进而提供给AI芯片（GPU）。该技术为天下初创，低占板面积的功率转换。6月30日，国产GaN龙头企业英诺赛科股价展现单薄，开拓基于全新架构的下一代电源零星，搜罗 CPU、直至全天下初创的12kW BBU电源处置妄想，可在-5至45℃温度规模内个别运行，能量斲丧飞腾了30%。
